新华财经上海8月14日电据中国科学院上海微系统所微信公号8月14日消息，近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所蔡艳研究员团队与欧欣研究员团队合作，通过“万能离子刀”剥离转移技术在六吋图形化SiN晶圆上集成了高质量的铌酸锂薄膜，并通过晶圆级工艺制备出具备高速数据传输能力的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器。在该异质集成方案中，氮化硅与薄膜铌酸锂形成混合波导，铌酸锂薄膜无需刻蚀加工，简化了工艺流程。该工作不仅对全流程晶圆级制备硅光异质集成薄膜铌酸锂电光调制器进行了探索，而且为未来硅光平台与薄膜铌酸锂进行晶圆级异质集成的量产奠定了一定基础。相关成果于2025年8月4日以“Hybrid Silicon Nitride/Lithium Niobate Electro-Optical Modulator with Wide Optical Bandwidth and High RF Bandwidth Based on Ion-cut Wafer-level Bonding Technology”为题在线发表在国际著名期刊《Laser & Photonics Reviews》上。
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